Mosfet para controladora Xiaomi Patinete

Descripción

Mosfet para controladora Xiaomi Patinete 1 unidad

Mosfet para controladora xiaomi patinete

Número de Parte: NCEP85T14

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 85 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 140 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 84 nC

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 850 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0041 Ohm

Principales características NCEP85T14 MOSFET

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